本篇文章629字，读完约2分钟
外链论坛【科技在线】三星正式开始大规模生产首批256gb的ufs 2.0闪存芯片，持续读写可分别达到850/260 mb/s，4k随机的iops值达到45000和40000，传输效率为上一代ufs芯片。
发布会上被称为黑科技的ufs 2.0闪存实际上是指通用闪存2.0的规格，意味着读写速度将大幅提高。 其实半年前魅族的pro 5已经运用了ufs 2.0闪存。 但是，三星今天宣布，将批量生产容量为256gb的新ufs 2.0闪存。
来自gsmarena的报道称，三星正式开始大规模生产首款256gb的ufs 2.0闪存芯片，不仅容量有所突破，读写速度也可以超过sata接口的ssd产品。 读写分别达到850/260 mb/s，4k随机iops值达到45000和40000，传输效率是上一代ufs芯片的两倍。
众所周知，三星SSD能够实现大容量，要归功于三星的v-nand技术。 这次能够量产256gb的ufs 2.0芯片，还是v-nand技术的功劳。 但是，在这样大容量的闪存模块中，传输也需要很多时间。 为此，三星还宣布，未来的三星手机将支持usb 3.0接口传输协议。 结合这个全新的256gb ufs 2.0芯片，传输1080p高清电影只需要12s。
三星宣布这种新产品将于今年9月上市。 虽然刚刚发布的galaxy s7和s7 edge当然不能使用，但这与三星galaxy note 6的发布时间基本一致，很可能成为首款带有移动硬盘的手机。
标题：“三星量产UFS 2.0闪存模块，三星Note6机身容量可达256GB”
地址：http://www.yuanmengshidai.com/yysx/15915.html
